利用繞射技術來分析單晶材料如晶柱(Rod)、晶錠(Ingot)、晶圓(Wafer)、磊晶層(Epilayer)及其他各類多晶材料
在非破壞檢測條件下,高速量測碳化矽晶錠及晶圓之取向、應力及缺陷等資訊,無需使用破壞性KOH蝕刻技術,節省支出並提高產出率。