碳化矽(SiC)晶錠晶圓應力缺陷檢測儀

Description

在非破壞檢測條件下，高速量測碳化矽晶錠及晶圓之取向、應力及缺陷等資訊，無需使用破壞性KOH蝕刻技術，節省支出並提高產出率。

Specification

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X光能量：20-225 keV

X光功率：Max. 1800 W

檢測晶錠/晶圓尺寸：Max. to 12 inchs

檢測時間：Down to 20 min for strain/stress analysis

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